特許
J-GLOBAL ID:200903070439749532
半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (11件):
前田 弘
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 藤田 篤史
, 二宮 克也
, 原田 智雄
, 井関 勝守
, 関 啓
, 杉浦 靖也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-237494
公開番号(公開出願番号):特開2008-060453
出願日: 2006年09月01日
公開日(公表日): 2008年03月13日
要約:
【課題】半導体ウェハの表面における帯電を取り除いて、例えばプラグ上に吸着するスラリー砥粒等の異物の発生を抑制する。【解決手段】複数のユニットから構成された、半導体ウェハ1をCMP処理するための半導体製造装置であって、複数のユニットにおける一のユニット7に設けられ、半導体ウェハ1の表面における帯電を除電する除電部9を備えている。【選択図】図2
請求項(抜粋):
複数のユニットから構成された、半導体ウェハをCMP処理するための半導体製造装置であって、
前記複数のユニットにおける一のユニットに設けられ、前記半導体ウェハの表面における帯電を除電する除電部を備えていることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (3件):
H01L 21/304
, B24B 37/00
, H05F 3/06
FI (3件):
H01L21/304 622Z
, B24B37/00 Z
, H05F3/06
Fターム (7件):
3C058AB03
, 3C058AC01
, 3C058AC02
, 3C058DA17
, 5G067AA42
, 5G067AA70
, 5G067DA24
引用特許:
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