特許

J-GLOBAL ID：200903070439901067

気化供給方法

発明者： 高松 勇吉 ,  米山 岳夫 ,  森 勇次 ,  淺野 彰良
出願人/特許権者： 日本パイオニクス株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-141386
公開番号（公開出願番号）：特開2003-332327
出願日： 2002年05月16日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：

【要約】【課題】 バリア膜の製造において用いられる液体CVD原料を、極めて高濃度で、しかも所望の供給量で安定して半導体製造装置に気化供給できる気化供給方法を提供する。【解決手段】 アミノ系液体CVD原料を、精度よく加熱し気化させて気体マスフローコントローラーに供給し、気体マスフローコントローラーにより流量制御して、窒素、ヘリウム、アルゴン等の同伴ガスを伴うことなく半導体製造装置へ供給する。

請求項（抜粋）：

アミノ系液体CVD原料を、加熱し気化させて気体流量制御部に供給し、該気体流量制御部により流量制御して、同伴ガスを伴うことなく半導体製造装置へ供給することを特徴とする気化供給方法。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/448

FI (3件)：

H01L 21/31 F ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/448

Fターム (23件)：

4K030AA11 ,  4K030BA09 ,  4K030BA10 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA22 ,  4K030BA29 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030EA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA41 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AB31 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045EE03 ,  5F045EE04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-367275   出願人：株式会社日立国際電気
• 薄膜成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-174001   出願人：富士通株式会社
• 特開昭63-262844
  
• 特開昭63-262844