特許

J-GLOBAL ID：200903070476466885

キャパシタを有する半導体記憶装置およびその製造方法

発明者： 黒岩 丈晴
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-076823
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270662
出願日： 1997年03月28日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】 低抵抗化が容易で、圧縮応力が小さく、かつ結晶粒が均一かつ微細な電極を含むキャパシタを有する半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 ストレージノード1およびセルプレート5が、水素を0.1体積%以上4体積%以下含むガス中でスパッタリングにより成膜され、たとえばRu金属よりなる。

請求項（抜粋）：

高誘電率材料を含むキャパシタ誘電体層を第1および第2の電極で挟んでなるキャパシタを有する半導体記憶装置の製造方法であって、前記第1および第2の電極の少なくともいずれかは、0.1体積%以上4体積%以下の水素を含むガス中でスパッタ蒸着法により、Ru、Ir、Re、Pt、Pd、Rhよりなる群から選ばれた1種以上の材料よりなるように形成される、キャパシタを有する半導体記憶装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (5件)：

H01L 27/10 621 B ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 301 Z ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (3件)

• マイクロ電子構造体とその製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-196766   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 酸化防止作用を有する白金膜を基板上に蒸着する方法と、その方法により製造された装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-035332   出願人：東洋セメント株式会社
• 窒素を使用して優先配向された白金薄膜を形成する方法と、その形成方法により製造された装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-031940   出願人：東洋セメント株式会社