特許
J-GLOBAL ID：200903077067615377
酸化防止作用を有する白金膜を基板上に蒸着する方法と、その方法により製造された装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青木 輝夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-035332
公開番号（公開出願番号）：特開平10-312977
出願日： 1998年01月09日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：
【要約】【課題】 DRAMセルや非揮発性強誘電体メモリセルのキャパシタの下部電極として主に使用される白金薄膜において、白金薄膜の下に形成される機能性中間膜が酸化してしまう。【解決手段】 DRAMセルや非揮発性強誘電体メモリセルのキャパシタの下部電極として主に使用される白金薄膜は二つの工程で蒸着される。第1白金薄膜部108は不活性ガス雰囲気(Ar、Ne、Kr、Xe)で蒸着され、第2白金薄膜部112は不活性ガスに酸素、オゾン、窒素、N2 Oおよびこれらの混合ガスのうち、いずれかの一つ以上が含まれた雰囲気で蒸着される。これら白金薄膜108、112は真空雰囲気で熱処理されることにより、第2白金薄膜部112の蒸着時に導入された酸素及び/又は窒素が除去される。熱処理された白金薄膜116は、白金薄膜下部電極下に配置される拡散バリヤ層又は接着層のような機能性中間膜104に酸化物が形成されることを防止する。
請求項（抜粋）：
高集積DRAMと非揮発性メモリ素子のキャパシタ用下部電極として使用される白金膜を基板上に蒸着する方法において、基板を準備する工程と、この基板上に機能性中間膜を形成する工程と、この機能性中間膜上に、不活性ガス雰囲気下で第1の白金薄膜部を蒸着した後、不活性ガスと共に、酸素、オゾン、窒素又は一酸化二窒素のうち、少なくとも一つを含む窒素及び/又は酸素含有雰囲気下で第2の白金薄膜部を蒸着することからなる白金薄膜蒸着工程と、白金薄膜を真空熱処理して、前記第2の白金薄膜部の蒸着中に、白金薄膜に含まれた窒素及び/又は酸素を除去する工程と、を含み、この白金薄膜は、前記真空熱処理によって調節された優先配向性を有することを特徴とする白金薄膜形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/285
, C23C 14/14
, H01L 27/10 451
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 21/285 S
, H01L 21/285 C
, C23C 14/14 D
, H01L 27/10 451
, H01L 27/10 621 Z
, H01L 27/10 651
