特許
J-GLOBAL ID：200903070481398235
半導体光素子、その製造方法及び半導体光学装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-013638
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216492
出願日： 1999年01月21日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【課題】 低閾値電流、かつ、良好な高温及び高出力特性を同時に実現することができると共に、再現性よく、均一に製造することができる半導体光素子、その製造方法及び半導体光学装置を提供する。【解決手段】 半導体基板2と、半導体基板2の上に形成された活性層4を有するメサ型のダブルへテロ構造膜と、メサ型のダブルへテロ構造膜の両側部に形成された多層構造電流ブロック層とを有し、多層構造電流ブロック層は少なくとも1層の絶縁膜20を備える第1の電流ブロック層と半導体膜を備える第2の電流ブロック層とを有する。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された活性層を有するメサ型のダブルへテロ構造膜と、前記メサ型のダブルへテロ構造膜の両側部に形成された多層構造電流ブロック層とを有し、前記多層構造電流ブロック層は少なくとも1層の絶縁膜を備える第1の電流ブロック層と半導体膜を備える第2の電流ブロック層とを有することを特徴とする半導体光素子。
Fターム (11件)：
5F073AA07
, 5F073AA22
, 5F073AA71
, 5F073AA89
, 5F073AB21
, 5F073BA01
, 5F073CA12
, 5F073CB11
, 5F073DA27
, 5F073EA23
, 5F073EA24
