パターン形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安富耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-097005
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283414
出願日： 1996年04月18日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】簡単で精度の高いフォトレジストパターンの形成方法を提供することが目的である。【解決手段】材料体1上にポジ型フォトレジスト膜2及びネガ型フォトレジスト膜3をこの順序で形成する工程と、ネガ型フォトレジスト膜3の所定部分にネガ型フォトレジスト膜感光用光を照射する工程と、ネガ型フォトレジスト膜3を選択的に現像除去して所定形状にパターン化する工程と、このパターン化したネガ型フォトレジスト膜3をマスクとしてポジ型フォトレジスト膜2にポジ型フォトレジスト膜感光用光を照射する工程と、ポジ型フォトレジスト膜2を選択的に現像除去することによりオーバーハング部4aを有するレジストパターン4を形成する工程と、を有する。

請求項（抜粋）：

材料体上にポジ型フォトレジスト膜及びネガ型フォトレジスト膜をこの順序で形成する工程と、前記ネガ型フォトレジスト膜の所定部分に該ネガ型フォトレジスト膜感光用光を照射する工程と、前記ネガ型フォトレジスト膜を選択的に現像除去して所定形状にパターン化する工程と、前記パターン化したネガ型フォトレジスト膜をマスクとして前記ポジ型フォトレジスト膜に該ポジ型フォトレジスト膜感光用光を照射する工程と、前記ポジ型フォトレジスト膜を選択的に現像除去することによりオーバーハング部を有するレジストパターンを形成する工程と、を有することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/26 513

FI (3件)：

H01L 21/30 573 , G03F 7/26 513 , H01L 21/30 576

引用特許：

審査官引用 (1件)

パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-049359 出願人：松下電子工業株式会社

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