特許
J-GLOBAL ID：200903070496722128
シリコン含有スラッジの再利用方法及びその再生物
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
河野 登夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-339072
公開番号（公開出願番号）：特開平9-175851
出願日： 1995年12月26日
公開日（公表日）： 1997年07月08日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウエハの製造工程で生成される、シリコン及び種々の材料を含有するスラッジの再利用方法及びその再生物を提供すること。【解決手段】 まずシリコンウエハの製造過程で生成されたスラッジを釜に入れ1140°Cで焼く。そうするとスラッジ中に含まれるC,Al,Na及びCaは溶融して蒸発、又は燃焼し、その殆どは除去される。そしてシリコンは、単体のまま残留、若しくは酸化され酸化シリコン(SiO<SB>X </SB>:0<x<2)として残留する。ケイ石,粘土,絹雲母,長石,陶石等を含む陶土にこのスラッジを混合し練り込む。この陶土を所定形状に成形し乾燥した後、所定温度で焼成する。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハの製造工程で生成される、シリコンを含有するスラッジを約700〜1300°Cで加熱することを特徴とするシリコン含有スラッジの再利用方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
C04B 35/00 V
, B09B 3/00 301 J
, B09B 3/00 303 A
