不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-184863
公開番号（公開出願番号）：特開平11-031799
出願日： 1997年07月10日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：

【要約】【課題】第1に製造工程数の削減、また、それに加えて高速動作性、高信頼性を有する不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】メモリセル及び選択Trは、Vcc系Trと同じゲート絶縁膜105を有する。また、Vpp系Tr及びVcc系Trのゲート電極は、すべて第1ポリシリコン層106を用いている。この第1ポリシリコン層106上には、第2ポリシリコン層(制御ゲート層)107とは異なる物質、例えばサリサイドやメタルであってもよい。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に電荷蓄積層と制御ゲート層が積層され、電荷蓄積層の電荷の授受によりプログラム及び消去を行う少なくとも1つのメモリセルからなる複数のメモリセルユニットと、前記複数のメモリセルユニットにそれぞれ接続された複数の選択トランジスタと、前記メモリセル及び選択トランジスタを制御する電圧を駆動制御するトランジスタとを具備し、前記トランジスタは、少なくとも、第1のゲート絶縁膜を有する第1トランジスタと、この第1のゲート絶縁膜とは膜厚の異なる第2のゲート絶縁膜を有する第2トランジスタを含み、前記メモリセルのゲート絶縁膜と前記選択トランジスタのゲート絶縁膜と前記第1のゲート絶縁膜が実質的に同一の膜であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5件)：

H01L 27/115 , H01L 27/10 481 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 434 , H01L 27/10 481 , H01L 29/78 371

引用特許：

出願人引用 (11件)

特開昭62-076668
特開昭62-023149
分離トランジスタを有するEEPROMセルとその製造・動作方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-090134 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド

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審査官引用 (5件)

特開昭62-076668
特開昭62-076668
特開昭62-023149

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