特許

J-GLOBAL ID：200903070514511270

光起電力装置

発明者： 中井 拓夫 ,  津毛 定司 ,  羽賀 孝裕
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (2件)： 目次 誠 ,  宮▲崎▼主税
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-103097
公開番号（公開出願番号）：特開2006-286820
出願日： 2005年03月31日
公開日（公表日）： 2006年10月19日
要約：

【課題】 単結晶シリコンウェハなどの単結晶半導体基板を用いた光起電力装置において、光電変換効率を向上させる。 【解決手段】 主面1aにテクスチャー構造の凹凸が形成された半導体基板1を用いた光起電力セル10を備える光起電力装置において、半導体基板1の側面1b及び裏面周辺部1cにもテクスチャー構造の凹凸を形成されており、好ましくは、凹凸の形成されている裏面周辺部が、基板周辺の側面端部から内側に2mm以下までの領域であることを特徴としている。 【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

主面にテクスチャー構造の凹凸が形成された半導体基板を用いた光起電力セルを備える光起電力装置において、 前記半導体基板の側面及び裏面周辺部にもテクスチャー構造の凹凸が形成されていることを特徴とする光起電力装置。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 31/042

FI (2件)：

H01L31/04 A ,  H01L31/04 C

Fターム (11件)：

5F051AA02 ,  5F051AA05 ,  5F051CA15 ,  5F051CB21 ,  5F051DA03 ,  5F051DA04 ,  5F051EA01 ,  5F051FA04 ,  5F051GA04 ,  5F051GA15 ,  5F051JA05

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 凹凸基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-030139   出願人：三洋電機株式会社
• 特開平3-173481号公報