特許
J-GLOBAL ID：200903070523819287

不揮発性半導体メモリ装置とその読出及びプログラム方法

発明者：
金 鎭祺

金 鎭祺 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 高月 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-299005
公開番号（公開出願番号）：特開平9-180477
出願日： 1996年11月11日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 外部記憶回路を使用せずにすみ且つ複写データが反転しないような高速のページ複写を行える不揮発性半導体メモリを提供する。【解決手段】 メモリセルアレイ100の1行ごとにメモリトランジスタを少なくとも1ずつ追加形成してフラグセル部200を構成し、該フラグセル部200に記憶されるフラグもメモリセルアレイのデータと共に貯蔵するページバッファ300とする。そして、ページバッファ300の貯蔵データを出力する際に、フラグセルのフラグに従いメモリセルアレイのデータを補正する補正手段500を設ける。ページバッファ300を利用する高速複写とした上で、この場合に反転する複写データを出力するときには、フラグに従い補正手段500で元に戻して出力することができる。
請求項（抜粋）：
フローティングゲート形のメモリトランジスタを行と列のマトリックス形態に配列したメモリセルアレイをもつ電気的消去可能でプログラム可能な不揮発性半導体メモリ装置において、メモリセルアレイの1行ごとに設けられ、該メモリセルアレイの読出及びプログラムと共に読出及びプログラムされるフラグセルと、前記メモリセルアレイの列及び前記フラグセルの列に接続されたデータラッチを有し、読出及びプログラム時に前記メモリセルアレイのデータ及び前記フラグセルのフラグを同時に貯蔵するデータ貯蔵手段と、該データ貯蔵手段の貯蔵データを出力する際に、前記メモリセルアレイのデータを前記フラグセルのフラグに従って補正する補正手段と、を備えたことを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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