特許

J-GLOBAL ID：200903070557045841

強誘電体薄膜被覆基板、その製造方法、及びキャパシタ構造素子

発明者： 松永 宏典 ,  木島 健 ,  佐藤 咲子 ,  木場 正義
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-168118
公開番号（公開出願番号）：特開平8-339715
出願日： 1995年06月09日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、薄膜の表面が緻密で平坦でリーク電流特性に優れ、かつ十分に大きな残留自発分極を示す強誘電体薄膜が低温プロセスで作製可能な強誘電薄膜基板、その製造方法、及びキャパシタ構造素子を提供することを目的としている。【構成】 基板1上に、金属酸化物バッファ層5と、第1の強誘電体薄膜6と、第1の強誘電体薄膜6の膜厚よりも厚い膜厚を有する第2の強誘電体薄膜7とが順次配置されて成る誘電体薄膜被覆基板。

請求項（抜粋）：

基板上に、金属酸化物バッファ層と、第1の強誘電体薄膜と、該第1の強誘電体薄膜の膜厚よりも厚い膜厚を有する第2の強誘電体薄膜とが順次配置されて成る強誘電体薄膜被覆基板。

IPC (11件)：

H01B 3/00 ,  B32B 9/00 ,  H01G 4/33 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 37/02 ,  H01L 49/02

FI (8件)：

H01B 3/00 F ,  B32B 9/00 A ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 37/02 ,  H01L 49/02 ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 強誘電体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-167860   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開平3-065336
  
• 特開平3-065336
  
• 特開平4-133369
  
• 特開平4-133369