半導体光変調器

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：谷義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-014711
公開番号（公開出願番号）：特開平9-211399
出願日： 1996年01月30日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】半導体光変調器の駆動電圧を低減する。【解決手段】 p型の導電型を有する第1の半導体層(3)と、第1の半導体層の下方に設けられた、ノンドープ半導体からなり印加電圧により光の吸収率または屈折率が変化するコア層(6)と、コア層の下方に設けられたn型の導電型を有する第2の半導体層(7)と、コア層に電圧を印加するための進行波型電極を具えた半導体光変調器である。この光変調器は、コア層(6)と第2の半導体層(7)の間にノンドープ半導体からなる第3の半導体層(9)が設けられている。

請求項（抜粋）：

p型の導電型を有する第1の半導体層(3)と、該第1の半導体層の下方に設けられた、ノンドープ半導体からなり印加電圧により光の吸収率または屈折率が変化するコア層(6)と、該コア層の下方に設けられたn型の導電型を有する第2の半導体層(7)と、前記コア層に電圧を印加するための進行波型電極を具えた半導体光変調器において、前記コア層(6)と前記第2の半導体層(7)の間にノンドープ半導体からなる第3の半導体層(9)が設けられていることを特徴とする半導体光変調器。

引用特許：

審査官引用 (1件)

光変調素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-100835 出願人：日本電信電話株式会社

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