特許

J-GLOBAL ID：200903071172098673

光変調素子

発明者： 高橋 亮 ,  香川 俊明 ,  岩村 英俊 ,  河村 裕一
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-100835
公開番号（公開出願番号）：特開平6-308435
出願日： 1993年04月27日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】 CR時定数に制限されることなく、超高速に光制御する。【構成】 本発明の光変調素子は、量子井戸層4をi層とするp-i-n半導体積層と、該半導体積層5,4,2の上部に設けたマイクロストリップライン8とからなる量子井戸光導波路と、前記p型半導体層5に励起光パルスを入射する高抵抗用開口溝12を設けた光伝導スイッチ(8,8A,8B)と、マイクロストリップライン8の特性インピーダンスである終短抵抗10とからなる。また、前記量子井戸層4として、低温成長量子井戸層を用いる。

請求項（抜粋）：

半絶縁性基板の上に量子井戸層をi層とするp-i-n半導体積層を設け、該半導体積層の上部にマイクロストリップラインを設けた量子井戸光導波路と、前記p型半導体層に励起光パルスを入射する開口部を設けた光伝導スイッチと、マイクロストリップラインの特性インピーダンスである終短抵抗とからなることを特徴とする光変調素子。

IPC (2件)：

G02F 1/015 505 ,  G02F 2/02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-149529
  
• 特開平1-254924
  
• 特開平1-190013