特許
J-GLOBAL ID：200903070587076431
基板の処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-316524
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169700
出願日： 1993年12月16日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：
【要約】【目的】 安価な構成で、絶縁膜上に形成される配線等の素子に、フッ素が悪影響を与えることを抑制し、デバイスとしての信頼性を向上させることる。【構成】 プラズマCVDにより基板3に酸化膜10を堆積し、基板3を取り出した後に、処理室1内に堆積された酸化膜11をフッ素プラズマにより除去するものであって、次の基板が挿入される前に、プラズマCVDを行って処理室1内に約0.3μm以上の膜厚の酸化膜を被着させるもの。
請求項（抜粋）：
プラズマCVDにより基板に酸化膜や窒化膜等の絶縁膜を堆積し、基板を取り出した後に、処理室内に堆積された絶縁物をフッ素プラズマにより除去するものであって、次の基板が挿入される前に、プラズマCVDを行って前記処理室内に約0.3μm以上の膜厚の絶縁膜を被着させることを特徴とした基板の処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44
, H01L 21/31
