特許
J-GLOBAL ID:200903070619863503

高周波スイッチ回路およびこれを用いた半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小笠原 史朗
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-149767
公開番号(公開出願番号):特開2006-332778
出願日: 2005年05月23日
公開日(公表日): 2006年12月07日
要約:
【課題】 入出力電力特性が向上された高周波スイッチ回路を提供する。【解決手段】 入出力端子と接地との間、および、入出力端子間に、直列接続された複数のFETによって構成された基本スイッチ部を設け、一方の端子が各FETのドレイン電極に接続され、他方の端子が各FETのソース電極に接続された複数の抵抗素子を設ける。オフ状態にある基本スイッチ部に含まれるFETのうち、信号電圧が印加される側のFETのドレイン電極およびソース電極間に接続された抵抗素子の抵抗値を小さくする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
高周波信号の流れを制御する高周波スイッチ回路であって、 直列接続された複数の電界効果トランジスタによって構成され、高周波信号を入出力する入出力端子と接地との間に設けられた基本スイッチ部と、 一方の端子がいずれかの前記電界効果トランジスタのドレイン電極に接続され、他方の端子が当該電界効果トランジスタのソース電極に接続された複数の抵抗素子とを備え、 前記電界効果トランジスタのうち、前記入出力端子に接続された電界効果トランジスタのドレイン電極およびソース電極間に接続された抵抗素子の抵抗値が、残余のいずれかの電界効果トランジスタのドレイン電極およびソース電極間に接続された抵抗素子の抵抗値よりも小さいことを特徴とする、高周波スイッチ回路。
IPC (1件):
H03K 17/693
FI (1件):
H03K17/693 A
Fターム (17件):
5J055AX05 ,  5J055AX06 ,  5J055BX06 ,  5J055BX17 ,  5J055CX03 ,  5J055DX12 ,  5J055DX26 ,  5J055DX72 ,  5J055DX83 ,  5J055EY01 ,  5J055EY10 ,  5J055EY21 ,  5J055FX12 ,  5J055FX17 ,  5J055FX35 ,  5J055GX01 ,  5J055GX06
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • スイッチ回路装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-082509   出願人:三洋電機株式会社

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