特許
J-GLOBAL ID:200903070622046010

デュアルスピンバルブ型薄膜磁気ヘッド

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 野▲崎▼ 照夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-242043
公開番号(公開出願番号):特開平10-091921
出願日: 1996年09月12日
公開日(公表日): 1998年04月10日
要約:
【要約】【課題】 FeMn合金などの反強磁性材料は、下地の影響を受けやすく、FeNi合金などのピン磁性層の上に成膜されたときには交換異方性磁界を生じるが、ピン磁性層の下に成膜されたときには交換異方性磁界を有効に発揮できない。よって、ピン磁性層と反強磁性層とが上下に対称に配置されるデュアルスピンバルブ型薄膜磁気ヘッドの反強磁性材料にFeMn合金を用いることはできない。またFeMn合金は耐食性に劣り、さらに交換異方性磁界を発揮させるための熱処理温度が高く、非磁性導電層とピン磁性層の界面の拡散を生じやすい。【解決手段】 デュアルスピンバルブ型の薄膜磁気ヘッドの反強磁性層4,4にPtMn膜を使用する。前記PtMn膜はピン磁性層3,3の上下どちらに形成されても交換異方性磁界を得ることができる。また比較的低温の熱処理で有効な交換異方性磁界を発生できる。
請求項(抜粋):
フリー磁性層の上下に積層された非磁性導電層と、一方の前記非磁性導電層の上および他方の非磁性導電層の下に位置するピン磁性層と、一方の前記ピン磁性層の上および他方のピン磁性層の下に位置して交換異方性磁界によりそれぞれのピン磁性層の磁化方向を一定の方向に固定する反強磁性層と、前記フリー磁性層の磁化方向を前記ピン磁性層の磁化方向と交叉する方向に揃えるバイアス層とを有し、前記反強磁性層がPtMn(白金-マンガン)合金で形成されていることを特徴とするデュアルスピンバルブ型薄膜磁気ヘッド。
引用特許:
審査官引用 (2件)

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