メサ型半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (2件)：須藤克彦 , 鎌田康秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-005696
公開番号（公開出願番号）：特開2009-206502
出願日： 2009年01月14日
公開日（公表日）： 2009年09月10日
要約：

【課題】メサ型半導体装置及びその製造方法において、耐圧を向上させると共にリーク電流を低減する。【解決手段】半導体基板1の表面にN-型半導体層2を形成し、その上層にP型半導体層3を形成する。その後、P型半導体層3の表面から、PN接合部JC、N-型半導体層2、半導体基板1の厚さ方向の途中にかけてエッチングし、半導体基板1に近づくに従って幅が大きくなるメサ溝8を形成する。その後、前記エッチングにより生じたメサ溝8の内壁のダメージ層を、ウェットエッチングにより除去すると共に、P型半導体層3の表面に近い領域において、P型半導体層3の表面に近づくに従って幅が大きくなるようにメサ溝8を加工する。その後、半導体基板1及びそれに積層された各層からなる積層体をダイシングする。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板を準備し、前記半導体基板の表面に、前記半導体基板よりも低濃度の第1導電型の第1の半導体層を形成する工程と、前記第1の半導体層の表面に第2導電型の第2の半導体層を形成する工程と、前記第2の半導体層の表面から前記半導体基板の中に到達し、前記第2の半導体層の表面から前記半導体基板に近づくに従ってその幅が大きくなるメサ溝を形成する第1のエッチング工程と、前記第1のエッチング工程により生じた前記メサ溝の内壁のダメージ層を除去する第2のエッチング工程と、を含むことを特徴とするメサ型半導体装置の製造方法。

IPC (9件)：

H01L 21/329 , H01L 29/861 , H01L 21/331 , H01L 29/732 , H01L 29/74 , H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 21/76 , H01L 21/306

FI (8件)：

H01L29/91 B , H01L29/91 D , H01L29/72 P , H01L29/74 F , H01L29/78 658E , H01L29/78 658G , H01L29/78 652R , H01L21/302 105A

Fターム (18件)：

5F003BA13 , 5F003BA92 , 5F003BC08 , 5F003BG03 , 5F003BH18 , 5F003BZ01 , 5F004AA09 , 5F004DA00 , 5F004DA18 , 5F004DB01 , 5F004EA10 , 5F004EA13 , 5F004EA28 , 5F004EA37 , 5F004FA08 , 5F005AH02 , 5F005BA01 , 5F005BB01

引用特許：

出願人引用 (4件)

高耐圧半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-091064 出願人：株式会社東芝
特開昭63-181330
特開昭52-089474

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審査官引用 (4件)

高耐圧半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-091064 出願人：株式会社東芝
特開昭63-181330
特開昭52-089474

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