特許
J-GLOBAL ID：200903070651880134
導電回路基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-327009
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209585
出願日： 1997年11月12日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【解決手段】 基板上に形成したH-Si結合を有するオルガノポリシラン膜を選択的に光照射することにより形成された光架橋層に銀導電層を形成させてなる回路パターンを有することを特徴とする導電回路基板。【効果】 本発明により、安価で簡便な工程により、高い導電率の導電層を持ち、導電性の経時変化が少なく、ネガ型パターンで優れた精細度の高導電回路を得ることができる。これにより、各種フレキシブルスイッチ、バッテリー電極、太陽電池、センサー、帯電防止用保護膜、電磁シールド用筐体、集積回路、モーター用筐体等に応用可能な有用な導電回路基板の形成方法として、電気、電子、通信分野に広く用いることができる。
請求項（抜粋）：
基板上に形成したH-Si結合を有するオルガノポリシラン膜を選択的に光照射することにより形成された光架橋層に銀導電層を形成させてなる回路パターンを有することを特徴とする導電回路基板。
IPC (3件)：
H05K 1/09
, H05K 3/10
, H05K 3/24
H05K 1/09 C
, H05K 3/10 C
, H05K 3/24 A
