特許
J-GLOBAL ID：200903070676792833

SOI基板を使用した懸垂梁の形成及びその振動式ジャイロメータの製作への応用

発明者：
マックニー マーク エドワード

マックニー マーク エドワード について

, 
ナヤー ヴィシャル

ナヤー ヴィシャル について


出願人/特許権者：
イギリス国

イギリス国 について


代理人 (1件)： 中村 稔 (外9名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-570531
公開番号（公開出願番号）：特表2002-525843
出願日： 1999年09月13日
公開日（公表日）： 2002年08月13日
要約：
【要約】第1のウェーハ(4)表面上に絶縁層(6)を形成する段階と、第2のウェーハ(2)を絶縁層(6)に接着する段階と、第1(4)又は第2(2)ウェーハの何れかにチャネル(18、20)が形成され、絶縁層(6)に隣接して止まるように、第1(4)又は第2(2)ウェーハの何れかをパターニングし続いてエッチングする段階と、エッチングされたウェーハの下の絶縁層(6)の部分を除去し、所定の断面以下のエッチングされたウェーハの部分、即ち懸垂部分(22)が、エッチングされていないウェーハの上方に実質的に自由に懸垂されているようになるように、絶縁層(6)をエッチングする段階とから成る、微小機械式センサー(101)を制作する方法が開示されている。この方法は、SOI(絶縁層上にシリコンがある)技術を用いる。更に、異方性シリコンを使用して、等方性シリコンを使って製作したかのように機能するセンサーを製作することのできる、微小機械式ジャイロメータ構造(101)が開示されている。
請求項（抜粋）：
微小機械式センサーを製作する方法において、 上部に絶縁層が形成され、前記絶縁層に第2ウェーハが接着されている第1ウェーハを持ってくる段階と、a)前記第1ウェーハ又は前記第2ウェーハの何れかを、その内一方のウェーハ(エッチングされるウェーハ)内に前記絶縁層に隣接して終わるチャネルが形成されるように、パターニングし、引き続いてエッチングする段階と、b)前記エッチングされたウェーハに隣接する前記絶縁層の部分を除去して、所定のサイズ以下の前記エッチングされたウェーハの部分、即ち懸垂部分が、他方のウェーハの上方に実質的に自由に懸垂されているようにするために前記絶縁層をエッチングする段階とから成ることを特徴とする方法。
IPC (3件)：
H01L 29/84 ,  G01C 19/56 ,  G01P 9/04
FI (3件)：
H01L 29/84 Z ,  G01C 19/56 ,  G01P 9/04
Fターム (12件)：
2F105BB15 ,  2F105CC04 ,  2F105CD03 ,  2F105CD05 ,  4M112CA43 ,  4M112CA54 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112EA03 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA10
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 特表平7-501421
  • 特表平7-501421
  • 加速度センサ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-230769   出願人：株式会社デンソー

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