半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-307027
公開番号（公開出願番号）：特開2006-120848
出願日： 2004年10月21日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：

【課題】成膜中に低誘電率界面層を生成させず、かつ熱処理後も低誘電率界面層の生成を抑制でき、ゲート絶縁膜としての High-k膜を有効利用する。【解決手段】 Si基板10上にゲート絶縁膜12を形成した後にゲート電極13を形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、ゲート絶縁膜12として、Zr,Hf,Ti,及びランタノイド金属のうち少なくとも一つを含む酸化膜を、500°C以上800°C以下の温度領域で、且つ酸素分圧が1×10-4Pa以下の雰囲気下で成膜する。【選択図】図11

請求項（抜粋）：

Si基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成された半導体装置であって、前記ゲート絶縁膜は、Zr,Hf,Ti,及びランタノイド金属のうち少なくとも一つを含む酸化膜により形成され、光電子スペクトルのO1sスペクトルの1次微分における変曲点より高束縛エネルギー側に単一の極小値を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 29/78 , H01L 21/316 , H01L 21/824 , H01L 29/792 , H01L 29/788 , H01L 27/115 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (5件)：

H01L29/78 301G , H01L21/316 X , H01L29/78 371 , H01L27/10 434 , H01L27/04 C

Fターム (65件)：

5F038AC05 , 5F038AC18 , 5F038AV06 , 5F038EZ14 , 5F038EZ20 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BF11 , 5F058BJ01 , 5F083EP23 , 5F083EP52 , 5F083EP56 , 5F083EP57 , 5F083HA08 , 5F083JA01 , 5F083JA02 , 5F083JA12 , 5F083JA13 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA31 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F101BA07 , 5F101BA26 , 5F101BA29 , 5F101BA36 , 5F101BB05 , 5F101BD02 , 5F101BH01 , 5F101BH02 , 5F140AA00 , 5F140AC01 , 5F140BA01 , 5F140BA20 , 5F140BD04 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BE03 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE16 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF10 , 5F140BG08 , 5F140BG14 , 5F140BG38 , 5F140BG51 , 5F140BG53 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BJ23 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK25 , 5F140CA03 , 5F140CB04 , 5F140CC03

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-334616 出願人：松下電器産業株式会社

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