特許
J-GLOBAL ID：200903070693182895
バイポーラトランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-249358
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077425
出願日： 1998年09月03日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：
【要約】【課題】 不純物拡散を抑制しつつ、しかもイオン注入に基づくダメージの発生などによりデバイス特性が劣化しないバイポーラトランジスタを提供することを目的とする。【解決手段】 第1の伝導型を有するSiコレクタ層2と、第2の伝導型を有するSiGeベース層4と、第1の伝導型を有するSiエミッタ層6とを有する構造のバイポーラトランジスタに対して、Siコレクタ層2とSiGeベース層4との間及びSiGeベース層4とSiエミッタ層6の間に炭素という電気的に不活性な不純物を含有する不純物拡散抑制層となるCドープSi層2及び5を形成することにより、熱処理などの際に発生する不純物の拡散を抑制する。
請求項（抜粋）：
第1の伝導型を有するコレクタ層と、第2の伝導型を有するベース層と、第1の伝導型を有するエミッタ層と、前記コレクタ層と前記ベースとの間及び前記ベース層と前記エミッタ層の間に形成された電気的に不活性な不純物を含有する不純物拡散抑制層とを有するバイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/165
5F003BF06
, 5F003BG06
, 5F003BM01
, 5F003BP03
, 5F003BP08
, 5F003BP31
