特許
J-GLOBAL ID：200903070703496451
炭化ケイ素半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-165471
公開番号（公開出願番号）：特開平10-112460
出願日： 1997年06月23日
公開日（公表日）： 1998年04月28日
要約：
【要約】【課題】炭化ケイ素半導体装置の熱酸化膜形成後の界面凖位密度を低減する。【解決手段】熱酸化後の不活性ガス中のアニール時間を2時間未満とする。また、一度形成した熱酸化膜を300〜500°Cの低温で水素や、水等の水素原子を含むガス中で熱処理するのもよい。更にまた、熱酸化後および熱酸化後の熱処理工程後の冷却期間の少なくとも一部で、水素原子を含むガスを雰囲気とする。
請求項（抜粋）：
炭化ケイ素表面に熱酸化によってシリコン酸化膜を形成する熱酸化膜形成工程を有する炭化ケイ素半導体装置の製造方法において、前記熱酸化後、不活性ガス雰囲気中で行うアニールは2時間より短くすることを特徴とする炭化けい素半導体装置の製造方法。
引用特許：
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