特許
J-GLOBAL ID：200903070714312042

半導体装置の製造方法

発明者：
深瀬 匡

深瀬 匡 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 渡辺 勝 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-298408
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124422
出願日： 1998年10月20日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、コネクションパッドを介して多層配線する半導体装置の製造方法に関して、上下配線の接続を精度良く、かつ簡便に行う製造方法を提供すること、及びこの方法を用いて製造する高集積な半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 エッチング停止膜23が露出するまで第三の層間絶縁膜24をエッチングし、上部配線のパターン溝25を形成した後、エッチング停止膜23及びマスク絶縁膜21を選択的にエッチング除去し、マスク絶縁膜下のコネクションパッド12に到るコンタクトを自己整合的に確保する。
請求項（抜粋）：
コネクションパッドを介して上部配線と、下部配線または基板上に形成された不純物拡散層とを接続する構造を有する半導体装置の製造方法であって、下部配線または基板上に形成された不純物拡散層に接続する第一のコンタクトプラグが形成された第一の層間絶縁膜上に、コネクションパッドとなる導電膜を形成する導電膜形成工程と、この導電膜上にコネクションパッドに加工するためのマスク絶縁膜を形成するマスク絶縁膜形成工程と、このマスク絶縁膜を用いてコネクションパッドを形成するコネクションパッド形成工程と、このマスク絶縁膜及びコネクションパッドを埋め込むように第二の層間絶縁膜を堆積する工程と、この第二の層間絶縁膜を前記マスク絶縁膜が露出するまでエッチバックする工程と、前記マスク絶縁膜と同一材料で構成されるエッチング停止膜を堆積する工程と、このエッチング停止膜上に、上部配線の設計厚み合わせて第三の層間絶縁膜を堆積する工程と、この第三の層間絶縁膜を前記エッチング停止膜が露出するまでエッチングし、上部配線のパターン溝を形成する工程と、前記マスク絶縁膜と前記エッチング停止膜とを同時に選択的にエッチングし、前記コネクションパッドに到るコンタクトホールを自己整合的に開孔する工程と、前記第三の層間絶縁膜中に形成された前記上部配線のパターン溝及び前記コネクションパッドに到るコンタクトホールの両方を導電性物質で埋めて上部配線と第二のコンタクトプラグを同時に形成する工程と、前記第三の層間絶縁膜上に堆積した導電性物質をエッチバックにより除去する工程とを有する半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/768
FI (4件)：
H01L 27/10 681 B ,  H01L 21/90 A ,  H01L 27/10 621 B ,  H01L 27/10 681 F
Fターム (49件)：
5F033HH01 ,  5F033HH04 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ06 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK04 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033NN03 ,  5F033NN07 ,  5F033NN38 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ24 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033TT02 ,  5F033TT07 ,  5F033VV16 ,  5F033XX03 ,  5F083AD22 ,  5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083JA32 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083MA02 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083NA02 ,  5F083PR05 ,  5F083PR10 ,  5F083PR29 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40 ,  5F083PR42 ,  5F083PR52 ,  5F083ZA01
引用特許：
審査官引用 (3件)

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