特許

J-GLOBAL ID：200903070755175548

化合物半導体素子及びその製造方法

発明者： 弓削 省三
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-202772
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054794
出願日： 1997年07月29日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】発光効率、信頼性が非常に高い発光素子及びレーザ素子の提供【解決手段】 発光素子において、InGaN 活性層15とAlGaN クラッド層13、17 の間に、In組成が徐々に変化するInGaN グレイテッド層14、16 を形成する。この形成にあたっては、In原料とその他の〓属原料の供給量またはこれらの比を一定にしたまま、温度を昇温または降温することによってIn組成を徐々に変化させる。これにより、発光効率、信頼性が非常に高い発光素子及びレーザ素子を再現性良く形成できる。

請求項（抜粋）：

Aly Ga1 y N クラッド層(0≦y≦1) と、前記Aly Ga1 y N クラッド層上に形成されたIn組成比が徐々に増加するInu Ga1-u N グレイテッド層(0≦u≦1) と、前記Inu Ga1-u N グレイテッド層上に形成されたInx Ga1-x N 活性層(0≦x≦1) と、前記Inx Ga1-x N 活性層上に形成されたIn組成比が徐々に減少するInw Ga1-w Nグレイテッド層(0≦w≦1) と、前記Inw Ga1-w N グレイテッド層上に形成されたAlz Ga1 z N クラッド層(0≦z≦1) とを有することを特徴とする化合物半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-322924   出願人：日亜化学工業株式会社
• 特開昭61-164286
  
• 特開昭59-088885