特許
J-GLOBAL ID:200903070758737539

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 田治米 登 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-099320
公開番号(公開出願番号):特開2000-294577
出願日: 1999年04月06日
公開日(公表日): 2000年10月20日
要約:
【要約】【課題】 厚みが薄く、エッジショートの発生もない半導体装置を提供する。【解決手段】 加圧又は加圧加熱により容易に変形しうる樹脂基板2に保持された半導体素子1を含む半導体装置において、半導体素子1のダイシング面1aが樹脂基板2から露出せず且つ半導体素子1の接続端子1dが外部回路3と接続可能となるように、半導体素子1を加圧又は加圧加熱することにより樹脂基板2を変形させながら樹脂基板2中に埋設する。
請求項(抜粋):
加圧又は加圧加熱により容易に変形しうる樹脂基板に保持された半導体素子を含む半導体装置において、半導体素子のダイシング面が樹脂基板から露出せず且つ半導体素子の接続端子が外部回路と接続可能となるように、半導体素子が樹脂基板中に埋設されたものであることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件):
H01L 21/56 ,  G06K 19/07 ,  G06K 19/077 ,  H01L 21/52
FI (4件):
H01L 21/56 R ,  H01L 21/52 Z ,  G06K 19/00 H ,  G06K 19/00 K
Fターム (19件):
5B035AA00 ,  5B035AA04 ,  5B035AA11 ,  5B035BA05 ,  5B035BB09 ,  5B035BC00 ,  5B035CA01 ,  5B035CA08 ,  5B035CA12 ,  5B035CA23 ,  5B035CA31 ,  5F047AA17 ,  5F047CA01 ,  5F047CB05 ,  5F047FA52 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA26 ,  5F061FA03
引用特許:
審査官引用 (2件)

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