半導体回路およびその駆動方法並びに半導体素子

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-268202
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141418
出願日： 1995年09月20日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】【課題】半導体回路において、スイッチング動作時の電磁ノイズの低減と過電圧の発生を防止する。【解決手段】回路が阻止状態にある時の電流・電圧特性が、第1の電圧値V1 以上かつ第2の電圧値V2 以下では電流が緩やかに流れ出し、第2の電圧値V2 以上では電流が急激に流れ出す。【効果】回路がオン状態からオフ状態に移行するとき、回路中のインダクタンスに蓄えられたエネルギーが、回路の有する微分抵抗によって消費されるので、跳ね上がり電圧が抑制される。この結果、電磁ノイズと過電圧の発生を防止できる。

請求項（抜粋）：

少なくとも半導体素子を含む回路と、これに接続されるインダクタンスと、を有し、流れる電流がオンオフ制御される半導体回路において、前記半導体素子を含む回路の両端に印加する阻止方向電圧の大きさが、第1の電圧値以上かつ第2の電圧値以下では電流の大きさが阻止方向電圧の増加とともに増大し、第2の電圧値以上では第1の電圧値と第2の電圧値間での電流の増加割合より大きな増加割合で電流が増加することを特徴とする半導体回路。

IPC (5件)：

H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 29/78 655 , H01L 29/78 657 , H01L 29/861

FI (4件)：

H01L 29/78 655 D , H01L 29/78 657 G , H01L 27/04 H , H01L 29/90 Z

Fターム (3件)：

5F038BH04 , 5F038BH19 , 5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (4件)

特公昭46-002707
定電圧ダイオード及びそれを用いた電力変換装置並びに定電圧ダイオードの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-241874 出願人：株式会社日立製作所
特開平4-118715

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