特許
J-GLOBAL ID：200903070772927162
光半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-158291
公開番号（公開出願番号）：特開平8-032108
出願日： 1994年07月11日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】 複雑な処理を必要とすることなく、外部取り出し効率が大幅に向上し、高効率の光半導体素子及びその製造方法を提供することである。【構成】 一導電型半導体層と、逆導電型半導体層とを有する光半導体素子の製造方法において、前記一導電型半導体層上に選択的にレジスト膜を形成し、該レジスト膜を熱変形させ、前記一導電型半導体層に対して選択的にエッチングする。【効果】 半導体基板毎にドライ、ウエットエッチング処理をするために複雑な複数エッチングと結晶成長を必要をせず、再現性よく順メサ形状若しくはドーム形状レンズが形成され、光を有効に取り出すことができ、量産性に優れる。
請求項（抜粋）：
一導電型半導体層と、逆導電型半導体層とを有する光半導体素子の製造方法において、前記一導電型半導体層上に選択的にレジスト膜を形成し、該レジスト膜を熱変形させ、前記一導電型半導体層に対して選択的にエッチングすることを特徴とする光半導体素子の製造方法。
引用特許：
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