特許

J-GLOBAL ID：200903070777649802

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 作 井 康 司 ,  中 村 寛
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-266176
公開番号（公開出願番号）：特開2000-222895
出願日： 1999年09月20日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】 1NANDセルブロック内に複数の消去ブロックを設定可能としたNAND型EEPROMを提供する。【解決手段】 メモリセルアレイのNANDセルブロック1は、複数のメモリセルトランジスタMCがビット線BLとソース線SLの間に直列接続されたNANDセルにより構成される。NANDセルのビット線BLとソース線SLの間にはそれぞれ選択トランジスタSST,GSTが設けられている。NANDセルのなかの連接する二つのメモリトランジスタMC15とMC16の間には、ブロック分離選択トランジスタSTが設けられて、NANDセルブロック1が二つのメモリセルユニットMU0,MU1に分割されている。これらのメモリセルユニットの一つを選択して消去単位として、消去単位でのデータの一括消去と、ページ単位のデータ書き込みが行われる。

請求項（抜粋）：

第1の信号線と、第2の信号線と、これら第1の信号線と第2の信号線の間に電気的書き換え可能なメモリセルを複数個直列接続して構成されたNANDセルと、このNANDセルを複数ブロックに分割するためにNANDセル内の所定の隣接メモリセルの間に介在させたブロック分離選択トランジスタと、を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6件)：

G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5件)：

G11C 17/00 612 F ,  G11C 17/00 611 E ,  G11C 17/00 622 E ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-066483   出願人：富士通株式会社