特許
J-GLOBAL ID：200903014019739623

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
千田 哲也

千田 哲也 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-066483
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261774
出願日： 1997年03月19日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、NAND型フラッシュメモリに関し、インバリッド・ブロックが発生した場合でも、当該ブロックをまるごと使用禁止にすることなく全体としてメモリセルの有効利用を図ることを目的とする。【解決手段】 所定の大きさの情報記憶領域の単位毎に複数の書換え可能な不揮発性メモリセルQ1M1 〜Q1M16が直列に接続されたメモリセル列を有し、該メモリセル列を複数のメモリセル群に分割し、分割された各メモリセル群を迂回するようにそれぞれ対応するメモリセル群に並列にスイッチング素子Q1B1 ,Q1B2 を接続し、該スイッチング素子を制御手段SL12, SL22によりオン/オフさせるように構成する。
請求項（抜粋）：
所定の大きさの情報記憶領域の単位毎に複数の書換え可能な不揮発性メモリセルが直列に接続されたメモリセル列を有する不揮発性半導体記憶装置において、前記メモリセル列を複数のメモリセル群に分割し、該分割された各メモリセル群を迂回するようにそれぞれ対応するメモリセル群に並列にスイッチング素子を接続し、該スイッチング素子をオン/オフさせる制御手段を設けたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (5件)：
H01L 27/115 ,  G11C 16/04 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (4件)：
H01L 27/10 434 ,  G11C 17/00 622 E ,  G11C 17/00 623 A ,  H01L 29/78 371
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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