特許

J-GLOBAL ID：200903070786036597

ウェーハの裏面からのダイシング方法

発明者： 馬上 宗二郎
出願人/特許権者： 株式会社ディスコ
代理人 (2件)： 佐々木 功 ,  川村 恭子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-274880
公開番号（公開出願番号）：特開2006-093285
出願日： 2004年09月22日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：

【課題】ウェーハの裏面側からのダイシングにおいて、裏面から確実に表面のストリートを検出できるようにする。【解決手段】ウェーハの裏面を研削した後、ダイシングを行う前に、ウェーハの裏面の算術平均粗さが0.01μm以下となるように裏面に加工を施す。算術平均粗さをかかる値以下とすると、ストリートと研削痕とを誤認することがなくなり、確実にストリートを検出できるようになる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ストリートによって区画されて複数のデバイスが表面に形成されたウェーハの裏面を研削する研削工程と、該裏面が研削されたウェーハの裏面側から赤外線アライメントによって該ウェーハの表面に形成されたストリートを検出して該裏面側から該ストリートに沿ってダイシングを遂行するダイシング工程とを備えたウェーハの裏面からのダイシング方法であって、 該ダイシング工程の前に、該ウェーハの裏面の算術平均粗さが0.01μm以下となるように該裏面に加工を施す裏面加工工程が遂行される ウェーハの裏面からのダイシング方法。

IPC (1件)：

H01L 21/301

FI (2件)：

H01L21/78 L ,  H01L21/78 B

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ウェーハの裏面研磨・ダイシング方法及びシステム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-093566   出願人：株式会社ディスコ

審査官引用 (2件)

• チップ製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-237397   出願人：株式会社東京精密
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-250483   出願人：沖電気工業株式会社