特許
J-GLOBAL ID：200903034671839517

ウェーハの裏面研磨・ダイシング方法及びシステム

発明者：
馬上 宗二郎

馬上 宗二郎 について


出願人/特許権者：
株式会社ディスコ

株式会社ディスコ について


代理人 (1件)： 佐々木 功 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-093566
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284449
出願日： 1997年04月11日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：
【要約】【課題】半導体ウェーハの裏面研磨からダイシングまでの工程において、半導体ウェーハの破損を防止すると共に、工程の効率化を図る。【解決手段】赤外線を用いることにより、ダイシング時の切削位置のアライメントを回路の形成されていない裏面から行うこととし、研磨からダイシングへ移る際のテープの貼り替えを不要とする。
請求項（抜粋）：
表面にストリートによって区画された複数のIC等の回路が形成されている半導体ウェーハの裏面を研磨し、前記半導体ウェーハを前記ストリートに沿ってダイシングするウェーハの裏面研磨・ダイシング方法であって、前記半導体ウェーハの裏面を上側にして保護部材と一体にする第一の工程と、該保護部材と一体になったウェーハを裏面研磨装置のチャックテーブルに載置し、前記ウェーハを前記裏面側から所要厚さに研磨する第二の工程と、前記保護部材と一体になった状態を維持すると共に所要厚さに研磨されたウェーハをダイシング装置に搬送する第三の工程と、前記保護部材と一体になった状態を維持すると共に所要厚さに研磨されたウェーハを載置し、該ウェーハの裏面から赤外線アライメントユニットによって前記ストリートを検出し、前記ウェーハの裏面からダイシングする第四の工程とを少なくとも含むウェーハの裏面研磨・ダイシング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 321 ,  H01L 21/301
FI (2件)：
H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/78 Q
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM