特許
J-GLOBAL ID:200903070792210523

両面配線基板およびそれを用いた半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 杉村 次郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-309714
公開番号(公開出願番号):特開平9-130000
出願日: 1995年11月06日
公開日(公表日): 1997年05月16日
要約:
【要約】【課題】 半導体チップの接続パッドの配列パターンを変更するために、半導体チップをサブ回路基板上に搭載したものにおいて、製造工程数を減少する。【解決手段】 半導体チップ21の保護膜24上に、サブ回路基板25を形成するための5枚の基板形成用板26a〜26eをこの順で接着する。すると、各基板形成用板26a〜26eに形成された開口部27a〜27eによって貫通孔28が形成される。次に、貫通孔28内に導電性ペースト31を注入して充填する。すると、開口部27a内に充填された導電性ペースト31は第1の接続パッドを形成し、この第1の接続パッドは半導体チップ21の接続パッド23と接合される。開口部27e内に充填された導電性ペースト31は第2の接続パッドを形成する。開口部27b〜27d内に充填された導電性ペースト31は内部導通部を形成する。
請求項(抜粋):
基板の一の面に配列形成された複数の第1の接続パッドの配列パターンと前記基板の他の面に配列形成された複数の第2の接続パッドの配列パターンとが互いに異なり、かつ前記複数の第1の接続パッドと前記複数の第2の接続パッドとの相対応するもの同士がそれぞれ内部導通部を介して電気的に接続された両面配線基板であって、前記第1の接続パッド、前記第2の接続パッドおよび前記内部導通部を前記基板に形成された貫通孔内に充填された導電部によって形成したことを特徴とする両面配線基板。
IPC (3件):
H05K 1/11 ,  H01L 21/60 311 ,  H05K 3/46
FI (4件):
H05K 1/11 N ,  H01L 21/60 311 Q ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 Q
引用特許:
審査官引用 (2件)

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