特許

J-GLOBAL ID：200903070818389535

半導体装置及びその製造方法

発明者： 倉本 和典
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-035795
公開番号（公開出願番号）：特開平10-233486
出願日： 1997年02月20日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置における低抵抗を再現性よく、小面積で形成でき、しかも設計変更を可能とする。【解決手段】 半導体基板1の上に直接又は絶縁膜2を介して形成された低抵抗の導体層3と、この導体層の上に形成された金属配線層4とで低抵抗6が構成されており、特に金属配線層4はその一部に平面上で離間される離間部5を備え、低抵抗導体層3はこの離間部5において所要の平面パターンで存在されて低抵抗6を構成する。金属配線層4をメッキにより形成するため再現性が向上され、かつ金属配線層4と低抵抗導体層3が積層されているためコンタクトが不要となり、小面積化が図れ、かつ製造工程数が削減される。低抵抗を形成するためにメタルやイオン注入が不要であり、歩留りが向上する。配線形成以降に低抵抗を形成するため、設計変更が容易である。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板上に直接又は絶縁膜を介して形成された低抵抗の導体層と、この導体層の上に形成された金属配線層とを備え、前記金属配線層はその一部に平面上で離間される離間部を備え、前記低抵抗導体層はこの離間部において所要の平面パターンで存在されて低抵抗領域を構成していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭55-125645
  
• 特開平1-260849
  
• 化合物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-263515   出願人：松下電器産業株式会社