特許
J-GLOBAL ID：200903070820953790

透明インジウム錫酸化物の電子ビーム蒸着方法

発明者：
メアリニ,ジェラルド,ティー.

メアリニ,ジェラルド,ティー. について


出願人/特許権者：
ジェンヴァック エアロスペース コーポレーション

ジェンヴァック エアロスペース コーポレーション について


代理人 (1件)： 川北 武長
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-553415
公開番号（公開出願番号）：特表2003-520296
出願日： 2000年12月22日
公開日（公表日）： 2003年07月02日
要約：
【要約】基板上にインジウム錫酸化物の透明コーティングを成膜する方法であって、部分的な真空環境に前記基板を配置し、インジウム錫酸化物のコーティングを前記基板の少なくとも一部に成膜するまで、前記基板に隣接して酸素を提供するイオン源を動作させながら、錫酸化物を添加したインジウム酸化物粒体の電子ビーム蒸着を行う方法。
請求項（抜粋）：
基板上にインジウム錫酸化物の透明コーティングを成膜する方法であって、部分的な真空環境に前記基板を配置し、インジウム錫酸化物のコーティングが、前記基板の少なくとも一部の上に成膜されるまで、前記基板に隣接して酸素を供給するイオン源を動作させながら、錫酸化物を添加したインジウム酸化物粒体の電子ビーム蒸着を行う方法。
IPC (3件)：
C23C 14/08 ,  C23C 14/48 ,  H01B 13/00 503
FI (3件)：
C23C 14/08 D ,  C23C 14/48 D ,  H01B 13/00 503 B
Fターム (12件)：
4K029BA45 ,  4K029BC09 ,  4K029CA02 ,  4K029CA09 ,  4K029DB05 ,  4K029DB21 ,  4K029DE02 ,  4K029EA01 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08 ,  5G323BA02 ,  5G323BB04
引用特許：
審査官引用 (4件)
  • 特開昭62-010269
  • 特開昭62-010269
  • 特開昭58-113373
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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