特許

J-GLOBAL ID：200903070858448658

ショットキー型電界効果トランジスタ

発明者： 森川 博司
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-206356
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053250
出願日： 1992年08月03日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】高周波、高出力用のTFTにおいて、ゲート電極2とドレイン電極4dの間の活性層1上に活性層1とショットキー接触をする金属膜5を形成する。また、この金属膜はゲート電極2及びドレイン電極4dとは分離されている。【効果】ゲート・ドレイン間活性層界面において、遅い時定数をもつ準位の発生あるいはその密度が、従来に比べ極めて抑制されゲート電極に高周波大振幅入力があった場合、正バイアス時でのドレイン-ソース間電流、つまり出力電流が大となり出力電力が増大する。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板の表面部の活性層にショットキー接触して設けられたゲート電極と、前記ゲート電極の両側にそれぞれ所定距離を隔てて前記活性層とオーム性接触して設けられたドレイン電極およびソース電極とを有するショットキー型電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート電極とドレイ電極との間に前記活性層とショットキー接触する金属膜が設けられていることを特徴とするショットキー型電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/48 ,  H01L 29/50

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-252168
  
• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-217252   出願人：三菱電機株式会社