特許

J-GLOBAL ID：200903070873112550

圧力センサの製造方法

発明者： 出尾 晋一 ,  田口 元久
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (4件)： 高橋 省吾 ,  稲葉 忠彦 ,  村上 加奈子 ,  中鶴 一隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-218692
公開番号（公開出願番号）：特開2007-033304
出願日： 2005年07月28日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：

【課題】ダイヤフラムに圧力検出素子が設けられている圧力センサにおいて、ダイヤフラムの歪みに起因する写真製版のピントずれを回避して、圧力検出素子を高精細に形成する圧力センサの製造方法を提供する。【解決手段】第一の半導体基板1の正面側に圧力検出素子5を形成した後、第一の半導体基板1の圧力検出素子5が形成されていない背面側から薄肉化する工程と、第二の半導体基板3上に絶縁層2を形成した後、絶縁層2の一部を除去して凹部を設ける工程と、薄肉化された第一の半導体基板1と第二の半導体基板3上の絶縁層2とを接合してダイヤフラムを形成する工程とを備えるようにした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第一の半導体基板の正面側に圧力検出部を形成した後、前記第一の半導体基板の前記圧力検出部が形成されていない背面側から薄肉化する工程と、 第二の半導体基板上に絶縁層を形成した後、前記絶縁層の一部を除去して凹部を設ける工程と、 薄肉化された前記第一の半導体基板と前記第二の半導体基板上の前記絶縁層とを接合する際に前記圧力検出部の位置が前記凹部の領域に適合するようにしてダイヤフラムを形成する工程とを備えることを特徴とする圧力センサの製造方法。

IPC (2件)：

G01L 9/00 ,  H01L 29/84

FI (2件)：

G01L9/00 303G ,  H01L29/84 B

Fターム (21件)：

2F055AA40 ,  2F055BB01 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE12 ,  2F055FF38 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA01 ,  4M112CA03 ,  4M112CA08 ,  4M112CA13 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA10 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA11 ,  4M112EA13 ,  4M112EA18 ,  4M112FA20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体圧力センサ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-205474   出願人：株式会社デンソー