特許
J-GLOBAL ID：200903070887358676
エッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-099911
公開番号（公開出願番号）：特開平9-289191
出願日： 1996年04月22日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：
【要約】【課題】 高誘電体酸化物又は強誘電体酸化物からなる絶縁膜に対して、簡便な化学的エッチング法によりながらエッチング領域に絶縁不良源を発生させないようにする。【解決手段】 堆積工程において、GaAsよりなる基板11の上に保護絶縁膜12、配線層を兼ねる下部電極形成層13、高誘電体酸化物としてのSrTiO3 よりなる絶縁層14A及び上部電極形成層15Aを順次堆積する。 次に、化学結合分離工程において、イオン注入法により容量素子形成領域を除く絶縁層14Aに対して、後のエッチング工程において絶縁層14Aを構成する元素のうちのチタン及びストロンチウムと反応をするイオンであるフッ素イオン17を注入することにより変性層14aを形成する。次に、エッチング工程において塩酸を用いて変性層14aに対してウェットエッチングを行なう。
請求項（抜粋）：
高誘電体酸化物又は強誘電体酸化物よりなる絶縁膜に対するエッチング方法であって、前記絶縁膜を構成する構成元素の化学結合を分離する化学結合分離工程と、前記構成元素の化学結合が分離された前記絶縁膜に対して化学的エッチングを行なうエッチング工程とを備えていることを特徴とするエッチング方法。
IPC (6件)：
H01L 21/306
, H01L 21/265
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 21/306 T
, H01L 21/265 W
, H01L 21/306 D
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 651
