特許
J-GLOBAL ID：200903070887631089
半導体圧力センサ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安藤 淳二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-363765
公開番号（公開出願番号）：特開2001-174349
出願日： 1999年12月22日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：
【要約】【課題】 従来サイズより小さな半導体圧力センサチップにも適用できる圧力導入孔を形成することができるとともに、半導体圧力センサのパッケージサイズの小型化を図ることのできる半導体圧力センサ及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体圧力センサチップ1のガラス台座2に、主表面に対して略直交方向、かつ第1主表面と第2主表面に端部が露出する1本又は複数本の金属線15を有する金属線入りガラス基板を用いたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
圧力により変位するダイヤフラムと、該ダイヤフラムの変位により圧力を検出する半導体圧力センサチップと、該半導体圧力センサチップを搭載して前記ダイヤフラムに圧力を導入する圧力導入孔を有するガラス台座とを有してなる半導体圧力センサにおいて、主表面に対して略直交方向、かつ第1主表面と第2主表面に端部が露出する1本又は複数本の金属線を有する金属線入りガラス基板を前記ガラス台座として用いたことを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (3件)：
G01L 9/04 101
, G01L 19/00
, H01L 29/84
G01L 9/04 101
, G01L 19/00 A
, H01L 29/84 B
2F055AA40
, 2F055BB20
, 2F055EE13
, 2F055FF43
, 2F055GG01
, 2F055GG11
, 4M112AA01
, 4M112BA01
, 4M112CA11
, 4M112CA13
, 4M112DA16
, 4M112DA18
, 4M112DA20
, 4M112EA02
, 4M112EA13
, 4M112FA11
, 4M112GA01
