半導体デバイスおよびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-148996
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347567
出願日： 2002年05月23日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】熱酸化法よりも簡便かつ低温で、熱酸化膜と同等レベルの良好な絶縁膜/半導体界面特性が得られる絶縁膜の形成方法と、この絶縁膜を用いた半導体デバイスを提供する。【解決手段】半導体内で生成または誘起されたキャリアに基づいて動作する半導体デバイスであって、前記半導体デバイスは、外部からのエネルギーおよび/または電界の印加によって、熱平衡状態よりも過剰のキャリアが生成または誘起される過剰キャリア存在領域を有する半導体(A)と、前記半導体の前記過剰キャリア存在領域の表面と接する絶縁膜(B)とを有し、前記絶縁膜(B)が、前記半導体(A)の前記過剰キャリア存在領域の表面と接して形成された、OH基および/またはOR基(Rは炭化水素基)を有する材料を、450°Cよりも高い温度で焼成することによって作製されている半導体デバイス。

請求項（抜粋）：

半導体内で生成または誘起されたキャリアに基づいて動作する半導体デバイスであって、前記半導体デバイスは、外部からのエネルギーおよび/または電界の印加によって、熱平衡状態よりも過剰のキャリアが生成または誘起される過剰キャリア存在領域を有する半導体(A)と、前記半導体の前記過剰キャリア存在領域の表面と接する絶縁膜(B)とを有し、前記絶縁膜(B)が、前記半導体(A)の前記過剰キャリア存在領域の表面と接して形成された、OH基および/またはOR基(Rは炭化水素基)を有する材料を、450°Cよりも高い温度で焼成することによって作製されている半導体デバイス。

IPC (5件)：

H01L 31/04 , H01L 21/312 , H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 29/786

FI (5件)：

H01L 21/312 C , H01L 31/04 F , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 617 V , H01L 29/78 617 T

Fターム (56件)：

5F051AA02 , 5F051AA03 , 5F051CB13 , 5F051DA03 , 5F051EA18 , 5F051FA14 , 5F051FA15 , 5F051GA04 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH01 , 5F110AA17 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF09 , 5F110FF21 , 5F110FF24 , 5F110FF27 , 5F110FF35 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ13 , 5F110NN02 , 5F110NN12 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110PP03 , 5F110QQ11 , 5F140AA00 , 5F140BA01 , 5F140BD04 , 5F140BE02 , 5F140BE05 , 5F140BE09 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BK13

引用特許：

審査官引用 (10件)

膜改質方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-145889 出願人：ソニー株式会社
特開平2-302038
特開平2-302038

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