特許

J-GLOBAL ID：200903070920027885

窒化シリコン膜の形成方法およびその窒化シリコン膜

発明者： 高橋 誠一 ,  三橋 哲雄 ,  浅利 伸 ,  太田 賀文 ,  中村 久三
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 飯阪 泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-221141
公開番号（公開出願番号）：特開平9-050996
出願日： 1995年08月07日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：

【要約】[課題] 膜厚分布の小さい平坦な窒化シリコン膜の形成方法、およびその窒化シリコン膜を提供すること。[解決手段] 好ましくは0.5%濃度のフッ化水素酸で前処理したシリコン基板4を減圧CVD用真空装置10のプロセスチューブ11内でアンモニアの圧力133Pa、温度700°C、時間30分の条件下に処理することによりシリコン基板4上の自然酸化膜5の表面を熱窒化させて熱窒化による窒化シリコン膜1で被覆し、続いてその上へジクロロシランとアンモニアとを圧力53Pa、温度700°C、時間7分の条件で反応させて気相成長による窒化シリコン膜2を形成させ、膜厚4nmの窒化シリコン膜3とする。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に熱窒化による窒化シリコン膜を形成させ、その上へ気相成長による窒化シリコン膜を形成させる窒化シリコン膜の形成方法において、前記シリコン基板をアンモニアの存在下、温度500〜1000°C、時間10〜120分の条件で処理することによって前記シリコン基板上の自然酸化膜を熱窒化させて前記熱窒化による窒化シリコン膜を形成させる工程と、続いて前記熱窒化による窒化シリコン膜の上へ前記気相成長による窒化シリコン膜を形成させる工程とを有することを特徴とする窒化シリコン膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/318 ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

H01L 21/318 B ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/31 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-316465
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-121030   出願人：株式会社東芝