特許

J-GLOBAL ID：200903014021429410

半導体装置及びその製造方法

発明者： 笠井 良夫 ,  鈴木 隆志 ,  津田 貴則 ,  見方 裕一 ,  赤堀 浩史 ,  山本 明人
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-121030
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045927
出願日： 1995年05月19日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】この発明の目的は、耐電圧が高く、信頼性の低下を防止でき、薄膜化が可能であり、複合絶縁膜に適した半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】トレンチ33を有する半導体ウエハ31を炉内に挿入し、減圧状態で炉内にNH3 ガスを導入し、温度が850 °C、H2 O分圧及びO2 分圧が10-4Torr以下の雰囲気とする。トレンチ33内表面の不純物拡散層上に形成された自然酸化膜は除去され、これと同時に不純物拡散層の上に熱窒化膜35が直接形成される。次に、同一炉内で熱窒化膜35を外気に晒すことなく連続して、熱窒化膜上にCVD窒化シリコン膜36を形成する。このCVD窒化シリコン膜上に酸化シリコン膜37を形成し複合絶縁膜が形成される。

請求項（抜粋）：

半導体層と、前記半導体層上に直接設けられ、酸素の濃度が1.36×1015(atoms/cm2)以下の熱窒化膜とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/318 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 625 B ,  H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-189162   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置およびその製造方法およびその製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-223788   出願人：日本電気株式会社
• 特開平2-016763
  
• 特開昭58-194718