特許

J-GLOBAL ID：200903070950331864

結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウエーハ

発明者： 飯田 誠 ,  飯野 栄一 ,  鈴木 聡 ,  木村 雅規 ,  村岡 正三
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-364143
公開番号（公開出願番号）：特開平11-180800
出願日： 1997年12月17日
公開日（公表日）： 1999年07月06日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 CZ法により育成されたシリコン単結晶ウエーハにおいて、熱酸化処理時に OSFリングは発生せず、OSF リング核は存在せず、FPD 及び L/Dがウエーハ全面内に存在せず、該リング内側のN1(V)領域を最大限拡大した極低欠陥密度であり、ゲッタリング能力のあるシリコン単結晶ウエーハを提供する。【解決手段】 CZ法において引上速度をF[mm/min]とし、シリコンの融点から1400°C間の引上軸方向の結晶内温度勾配平均値をG[°C/mm]で表した時、F/G値を縦軸、D(結晶中心から外周までの距離)を横軸とした欠陥分布図において、OSF リングの内側のN1 (V)領域で引上げるか、F/G 値を結晶中心で0.130〜0.142mm2/°C・minとして引上げる。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成する際に、引上げ速度をF[mm/min]とし、シリコンの融点から1400°Cの間の引上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値をG[°C/mm]で表した時、結晶中心から結晶周辺までの距離D[mm]を横軸とし、F/G[mm2 /°C・min]の値を縦軸として欠陥分布を示した欠陥分布図において、V-リッチ領域とN1 (V)領域の境界線、ならびにN1 (V)領域とOSFリング領域の境界線で囲繞されたN1 (V)領域内で結晶を引上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 15/00

FI (2件)：

C30B 29/06 502 J ,  C30B 15/00 Z

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 結晶欠陥の少ないシリコン単結晶ウエーハ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-325428   出願人：信越半導体株式会社