特許
J-GLOBAL ID：200903062782559037
結晶欠陥の少ないシリコン単結晶ウエーハ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-325428
公開番号（公開出願番号）：特開平11-147786
出願日： 1997年11月11日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 CZ法において制御幅が広く、より制御し易い成長条件下で製造した、熱酸化処理時に OSFリグは発生するが、該リング内外のN領域を最大限拡大した低欠陥密度であるシリコン単結晶ウエーハ並びに OSF核は存在するが、熱酸化処理時に該リングは発生せず、かつ、ウエーハ全面の酸素濃度が24ppma以下で、 FPD及びL/D がウエーハ全面内に存在しない、結晶全面が利用可能な極低欠陥密度であるシリコン単結晶ウエーハを提供する。【解決手段】 CZ法において引上速度をF[mm/min]とし、シリコンの融点から1400°C間の引上軸方向の結晶内温度勾配平均値をG[°C/mm]で表した時、F/Gの値を結晶中心で0.112 〜0.142mm2/°C・minとする製法、並びに前記F/G 値範囲に制御しかつ結晶中酸素濃度を24ppma以下に抑えて引上げるかまたは結晶中の1050〜 850°Cの温度域通過時間を 140分以下に制御する。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶ウエーハにおいて、熱酸化処理をした際にリング状に発生するOSFリングあるいはOSFリングの核が存在し、かつ、FPD及びL/Dがウエーハ全面内に存在しないことを特徴とするシリコン単結晶ウエーハ。
IPC (4件)：
C30B 15/00
, C30B 29/06 502
, H01L 21/208
, H01L 21/02
C30B 15/00 Z
, C30B 29/06 502 H
, H01L 21/208 P
, H01L 21/02 B
