特許
J-GLOBAL ID:200903070982564658
バイオセンサー及びこれを利用したセンシングセルアレイ
発明者:
,
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
荒船 博司
, 荒船 良男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-302881
公開番号(公開出願番号):特開2004-205495
出願日: 2003年08月27日
公開日(公表日): 2004年07月22日
要約:
【課題】それぞれ異なる複数の成分で構成された周辺物質等を磁化率又は誘電率に従う電気的成分に分離して分析するようにすることである。【解決手段】MTJ又はGMR素子を備える磁化ペア感知センサー、MTJ素子及び磁性物質を備える磁気抵抗センサー、センシングキャパシタ及びスイッチング素子を備える誘電率感知センサー、MTJ素子又はGMR素子、電流ライン、可変強磁性層及びスイッチング素子を備える磁化ホール感知センサー、又はGMR素子、スイッチング素子及び磁性物質で構成される巨大磁気抵抗センサーを、バイオセンサーチップに複数のロー及びカラム形態を有するセンシングセルアレイで配置し、それぞれ異なる特性を示す周辺物質の成分及び成分の大きさに従いそれぞれ相違する磁化率又は誘電率をセンシングし、分析を望む周辺物質の成分を電気的成分に分離するようにする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
可変強磁性層、トンネル接合層及び固定強磁性層で形成されたMTJ素子と、
前記MTJ素子の前記固定強磁性層の下部に形成され、前記MTJ素子でセンシングされた電流をセンスビットラインに出力するスイッチング素子と、
前記可変強磁性層の上部に形成され、前記MTJ素子に互いに異なるバイアス電圧を印加するためのセンスワードラインと、を備え、
前記固定強磁性層の磁力線が前記可変強磁性層に伝達されるとき、周辺物質に従い異なる磁束密度値を有することになり、前記スイッチング素子を介して出力される前記電流が互いに異なる値を有することになることを特徴とするバイオセンサー。
IPC (5件):
G01N27/72
, G01N27/22
, G01N37/00
, G01R33/09
, H01L43/08
FI (6件):
G01N27/72
, G01N27/22 B
, G01N37/00 102
, H01L43/08 U
, H01L43/08 Z
, G01R33/06 R
Fターム (22件):
2G017AA07
, 2G017AA08
, 2G017AD55
, 2G053AA01
, 2G053AB06
, 2G053AB19
, 2G053BA08
, 2G053BB11
, 2G053CA17
, 2G053CA18
, 2G053CB17
, 2G053DB02
, 2G060AA07
, 2G060AC04
, 2G060AE17
, 2G060AF11
, 2G060AG10
, 2G060FA01
, 2G060HA02
, 2G060HC10
, 2G060HE03
, 2G060KA06
引用特許:
出願人引用 (2件)
-
米国特許第5793697号明細書
-
米国特許第6128239号明細書
審査官引用 (2件)
-
磁気抵抗効果素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-068741
出願人:株式会社東芝
-
特表平7-508831
引用文献:
前のページに戻る