酸化物セラミックの製造方法およびこれを用いたセラミック多層基板の製造方法およびパワーアンプモジュール

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：岩橋文雄 , 坂口智康 , 内藤浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-380883
公開番号（公開出願番号）：特開2005-145722
出願日： 2003年11月11日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：

【課題】ガラスを含んだセラミック多層基板では主成分である酸化アルミニウム等のセラミック本来の高熱伝導率という特徴は損なわれ、これを用いて作製されたセラミック多層基板に発熱を伴う半導体素子を実装した場合、温度上昇が著しく、熱設計が困難であった。【解決手段】酸化銅、酸化チタン、酸化銀および酸化マンガンより選ばれる少なくとも3種類以上の金属酸化物からなる副成分をあらかじめ熱処理によって反応させた後に主成分である酸化アルミニウムに添加することにより熱伝導性に優れた低温焼結タイプのセラミック多層基板の製造方法を提供できる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

少なくとも酸化銅、酸化チタン、酸化銀および酸化マンガンより選ばれる少なくとも3種類以上の金属酸化物からなる副成分を含み、さらにその副成分の含有率が2〜20重量部である酸化物セラミックの製造方法において、全副成分の混合粉体をあらかじめ熱処理によって反応させた後に主成分に添加する酸化物セラミックの製造方法。

IPC (4件)：

C04B35/111 , C04B35/053 , H01L23/15 , H05K3/46

FI (5件)：

C04B35/10 D , H05K3/46 H , H05K3/46 T , C04B35/04 A , H01L23/14 C

Fターム (29件)：

4G030AA07 , 4G030AA16 , 4G030AA20 , 4G030AA25 , 4G030AA30 , 4G030AA31 , 4G030AA36 , 4G030BA09 , 4G030CA08 , 4G030GA01 , 4G030GA03 , 4G030GA04 , 4G030GA08 , 4G030GA14 , 4G030GA22 , 4G030GA25 , 4G030GA27 , 4G030GA31 , 5E346AA13 , 5E346CC17 , 5E346CC32 , 5E346CC39 , 5E346DD02 , 5E346DD13 , 5E346DD34 , 5E346EE24 , 5E346GG04 , 5E346GG06 , 5E346HH17

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開平3-271115号公報
酸化物セラミックス材料およびこれを用いた多層配線基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-249547 出願人：松下電器産業株式会社

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