特許

J-GLOBAL ID：200903071013957967

フォトレジスト用単量体、フォトレジスト用重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ-ンの形成方法、及び、半導体素子。

発明者： 李 根守 ,  鄭 ▲みん▼鎬 ,  鄭 載昌 ,  卜▲ちょる▼圭 ,  白 基鎬
出願人/特許権者： 現代電子産業株式会社
代理人 (1件)： 荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-338661
公開番号（公開出願番号）：特開2000-162771
出願日： 1999年11月29日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 光敏感性のエポキシ基を含むフォトレジストポリマーを製造可能であり、光酸発生剤を用いないか、或いは最小限度で含みながらも、極短波長に対し高い感度で反応する高性能のフォトレジスト組成物に利用可能な新規のフォトレジスト用単量体を提供する。【解決手段】 下記式(1)で示されることを特徴とするフォトレジスト用単量体である。【化1】(前記式で、RはC1-C10(炭素数1〜10)のアルキル基であり、mは1又は2のいずれかの数である。)

請求項（抜粋）：

下記式(1)で示されることを特徴とするフォトレジスト用単量体。【化1】(前記式で、RはC1-C10(炭素数1〜10)のアルキル基であり、mは1又は2のいずれかの数である。)

IPC (6件)：

G03F 7/038 503 ,  C07D311/00 ,  C08F 22/06 ,  C08F 32/00 ,  G03F 7/027 ,  G03F 7/027 515

FI (6件)：

G03F 7/038 503 ,  C07D311/00 ,  C08F 22/06 ,  C08F 32/00 ,  G03F 7/027 ,  G03F 7/027 515

引用特許：

審査官引用 (1件)

• レジスト材料およびパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-331746   出願人：富士通株式会社