特許

J-GLOBAL ID：200903071035754407

単結晶基板の表面にエピタキシャル薄膜を形成する方法

発明者： 山口 巖 ,  真部 高明 ,  熊谷 俊弥 ,  水田 進 ,  鈴木 茂 ,  山口 泰明 ,  清水 紀夫
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-265134
公開番号（公開出願番号）：特開2002-068900
出願日： 2000年09月01日
公開日（公表日）： 2002年03月08日
要約：

【要約】【課題】アルミナ単結晶基板上に、希土類金属とアルミニウムよりなる複合酸化物のエピタキシャル薄膜を形成する新規な方法の提供。【解決手段】アルミナ単結晶基板の表面に、希土類金属:アルミニウム:酸素の組成が1:1:3である複合酸化物からなるエピタキシャル薄膜を形成する方法において、希土類金属含有化合物を溶媒に溶解させ、均一な溶液とし、アルミナ単結晶表面に塗布乾燥させ、薄膜を形成し、加熱焼成することを特徴とする、アルミナ基板上に希土類金属とアルミニウムからなる複合酸化物のエピタキシャル薄膜を形成する方法。

請求項（抜粋）：

アルミナ単結晶基板の表面に、希土類金属:アルミニウム:酸素の組成が1:1:3である複合酸化物からなるエピタキシャル薄膜を形成する方法において、希土類金属含有化合物を溶媒に溶解させ、均一な溶液とし、アルミナ単結晶表面に塗布乾燥させ、薄膜を形成し、加熱焼成することを特徴とする、アルミナ基板上に希土類金属とアルミニウムからなる複合酸化物のエピタキシャル薄膜を形成する方法。

IPC (2件)：

C30B 33/02 ,  C30B 29/22 501

FI (2件)：

C30B 33/02 ,  C30B 29/22 501 C

Fターム (5件)：

4G077AA03 ,  4G077BC01 ,  4G077CB08 ,  4G077ED06 ,  4G077FE07

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-197303
  
• 超電導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-185213   出願人：工業技術院長, 日本化学産業株式会社