特許
J-GLOBAL ID：200903071040508384
半導体装置の製造方法、及び半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-215843
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083902
出願日： 1994年09月09日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：
【要約】【目的】 所望の電気的特性を備えた、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 MBE装置内において、S.I.-InP半導体基板1上に,i-AlInAs層2,SiドープAlInAs層3を順次形成して半導体積層構造を得た後、該半導体積層構造をMBE装置より取り出し、これを窒素雰囲気中で400°Cで18分間熱処理することによりSiドープAlInAs層3にフッ素を混入させて、該SiドープAlInAs層3の電気的特性を劣化させ、さらに上記半導体積層構造をMBE装置に入れ、超高真空中で400°Cで7分間の熱処理を行い、上記SiドープAlInAs層3に混入したフッ素を除去した。
請求項（抜粋）：
不純物をドープしたAl,In,及びAsを構成元素として含む,AlInAs構成元素層を形成する工程と、上記AlInAs構成元素層を熱処理することにより、該AlInAs構成元素層にフッ素を混入する工程と、上記熱処理を行った後、再度熱処理を行うことにより上記AlInAs構成元素層中のフッ素を除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
