特許
J-GLOBAL ID：200903071042087629

セラミック積層体の製法

発明者：
小泉 成一

小泉 成一 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-236376
公開番号（公開出願番号）：特開2003-051675
出願日： 2001年08月03日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
要約：
【要約】【課題】セラミックグリーンシートを薄層化して積層数を増加した場合にも、導体パターンの厚みによる段差を無くし、セラミック積層体の変形を抑えることができるとともに、絶縁抵抗の低下やショート不良の発生を抑制できるセラミック積層体の製法を提供する。【解決手段】導体パターン3間のセラミックグリーンシート1の上面及びその近傍の前記導体パターン3上面に有機樹脂膜4を形成する工程と、前記導体パターン3間における有機樹脂膜4上に、セラミックペーストを塗布してセラミックパターン5を形成する工程と、前記導体パターン3、前記有機樹脂膜4および前記セラミックパターン5が形成されたセラミックグリーンシート1を複数積層して仮積層体を形成する工程と、該仮積層体を有機樹脂膜4が溶解する温度で加熱しながら加圧して積層体9を形成する。
請求項（抜粋）：
セラミックグリーンシートの主面上に導体ペーストを印刷して導体パターンを所定間隔をおいて複数形成する工程と、該導体パターン間のセラミックグリーンシートの上面及びその近傍の前記導体パターン上面に有機樹脂膜を形成する工程と、前記導体パターン間における前記有機樹脂膜上に、セラミックペーストを塗布してセラミックパターンを形成する工程と、前記導体パターン、前記有機樹脂膜および前記セラミックパターンが形成されたセラミックグリーンシートを複数積層して仮積層体を形成する工程と、該仮積層体を前記有機樹脂膜が溶解する温度で加熱しながら加圧して積層体を形成する工程とを具備することを特徴とするセラミック積層体の製法。
IPC (4件)：
H05K 3/46 ,  C04B 35/64 ,  C04B 35/645 ,  H01G 4/30 311
FI (4件)：
H05K 3/46 H ,  H01G 4/30 311 F ,  C04B 35/64 G ,  C04B 35/64 N
Fターム (36件)：
5E082AB03 ,  5E082BC36 ,  5E082BC38 ,  5E082FG06 ,  5E082LL01 ,  5E082LL02 ,  5E082MM22 ,  5E082PP06 ,  5E082PP09 ,  5E346AA02 ,  5E346AA05 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA22 ,  5E346AA32 ,  5E346AA51 ,  5E346CC16 ,  5E346CC18 ,  5E346CC32 ,  5E346CC37 ,  5E346DD02 ,  5E346DD03 ,  5E346DD13 ,  5E346DD34 ,  5E346EE21 ,  5E346EE24 ,  5E346EE27 ,  5E346EE28 ,  5E346EE29 ,  5E346GG06 ,  5E346GG07 ,  5E346GG08 ,  5E346GG09 ,  5E346HH11 ,  5E346HH24 ,  5E346HH31
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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