特許
J-GLOBAL ID:200903071075229305

薄膜形成方法及びその装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 渡邉 勇 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-001009
公開番号(公開出願番号):特開2001-192855
出願日: 2000年01月06日
公開日(公表日): 2001年07月17日
要約:
【要約】【課題】 下地層の材質に拘わらず、例えば絶縁膜の表面に密着性良く均一に成膜して、微細な凹部の内部であっても、この内部に確実に埋込むことができるようにした薄膜形成方法及びその装置を提供する。【解決手段】 少なくとも一部が金属からなる超微粒子を溶媒中に分散させた超微粒子分散液を用意する工程と、超微粒子分散液を真空雰囲気中で噴射ノズルから基板表面に向けて噴射し、該超微粒子分散液に含まれる溶媒を蒸発させて基板表面に衝突させる工程と、該基板表面に衝突する超微粒子の少なくとも一部を構成する金属を基板表面で結合させる工程とを有する。
請求項(抜粋):
少なくとも一部が金属からなる超微粒子を溶媒中に分散させた超微粒子分散液を用意する工程と、前記超微粒子分散液を真空雰囲気中で噴射ノズルから基板表面に向けて噴射し、該超微粒子分散液に含まれる溶媒を蒸発させて基板表面に衝突させる工程と、該基板表面に衝突する超微粒子の少なくとも一部を構成する金属を基板表面で結合させる工程とを有することを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (2件):
C23C 24/00 ,  H01L 21/288
FI (2件):
C23C 24/00 ,  H01L 21/288 Z
Fターム (24件):
4K044BA01 ,  4K044BC14 ,  4K044CA21 ,  4K044CA25 ,  4K044CA41 ,  4K044CA53 ,  4K044CA57 ,  4K044CA71 ,  4M104BB02 ,  4M104BB03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104DD51 ,  4M104HH13
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 薄膜製造装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-066706   出願人:工業技術院長, 新技術事業団

前のページに戻る